功能描述:IGBT 模块
RoHS:否
制造商:Infineon Technologies
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
集电极—射极饱和电压:1.95 V
在25 C的连续集电极电流:230 A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
功率耗散:445 W
最大工作温度:+ 125 C
封装 / 箱体:34MM
封装:
6PS04012E33G30874
6PS04012T33G29076
6PS16012E3FG30834
6PS16012E3FG30835
6PS16012E3FG30837
6PS16012E3FG30921
6R125C6TK31A60
6R165PTK20A60
6R175G-160
6R190C6TK20A60
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